专利大数据平台
注册系统的好处
真正的全球专利检索、浏览、下载、分析。
 

平台简介
专利大数据服务平台系统收录中国、美国、日本、英国、德国、法国、欧洲、PCT等100个国家和组织的专利数据1亿条以上,提供专利数据的检索、浏览、保存、简要分析等免费服务和订阅、下载等定制化服务。
公开时间: 2011-11-23      申请时间: 2011-06-02
申请人: INST SEMICONDUCTORS CAS

CN102255240A
patent for invention


标题(英语)

Semiconductor laser structure capable of realizing high-power transverse low divergence angle


摘要(英语)

The invention discloses a semiconductor laser structure capable of realizing a high-power transverse low divergence angle. The semiconductor laser structure comprises a gallium arsenide substrate, a photonic crystal area, a transition layer, an upper limiting layer and a contact layer, wherein the photonic crystal area is arranged on the gallium arsenide substrate and used for realizing the large-area oscillation of a base mold; the transition layer is arranged on the photonic crystal area; the upper limiting layer is arranged on the transition layer and used for limiting the upward leakage of an optical field; and the contact layer is arranged on the upper limiting layer and used for forming an upper electrode with metal, so that the semiconductor laser structure capable of realizing the high-power transverse low divergence angle is formed.


申请人详细信息

序号 名称 数据格式
1 INST SEMICONDUCTORS CAS docdb

发明人详细信息

序号 名称 数据格式
1 WANHUA ZHENG docdb
2 WEI CHEN docdb
3 JIANXIN ZHANG docdb
4 HONGWEI QU docdb
5 FEIYA FU docdb

法律状态

序号 日期 法律代码 详细信息
1 20111123 C06 PUBLICATION
2 20120104 C10 ENTRY INTO SUBSTANTIVE EXAMINATION
3 20120926 C14 GRANT OF PATENT OR UTILITY MODEL

文档历史

公开时间: 2011-11-23
CN102255240A
申请时间: 2011-06-02
CN201110147409

CPC分类


IPC分类

H01S5/042

专利家族

44982291

被引非专利信息

引用阶段 文档类型 文档信息

专利大数据平台